Solusi Ilmuwan Rusia Untuk Membuka Jalan Bagi Transistor Fleksibel Dengan Gerbang Elektrolitik
Dengan teknologi ini, sampel laboratorium transistor fleksibel dengan gerbang elektrolitik telah dibuat, yang jika tidak, tidak akan berfungsi tanpa perawatan awal. Hasil penelitian tersebut telah dipublikasikan dalam jurnal Polymers. Tanggal 04.04.2025
Di antara material untuk elektronik fleksibel adalah komposit yang berbasis pada polimer dan oksida grafena tereduksi, senyawa nano yang tersedia secara luas dari karbon, hidrogen, dan oksigen (CHO). Komposit ini adalah lembaran polimer termoplastik dengan lapisan konduktif CHO di lapisan atasnya.
Para ilmuwan dari Universitas Politeknik Tomsk telah menemukan bahwa seseorang dapat menyesuaikan sifat-sifat material komposit ini melalui pemrosesan elektrokimia. Hasilnya, polimer termoplastik pada permukaan hancur, sehingga memperlihatkan oksida grafena tereduksi yang bersifat elektroaktif.
Hal ini membuka akses ke permukaan untuk ion-ion dari lingkungan sekitar komposit, sehingga memungkinkan terciptanya sensor ion dalam bentuk transistor dengan gerbang elektrolit.
"Studi telah menunjukkan bahwa kita dapat menggunakan reaksi terkontrol dari oksidasi dan reduksi oksida grafena tereduksi untuk mengubah sifat elektrokimia komposit dalam larutan elektrolit, untuk membuatnya lebih atau kurang konduktif. Teknologi ini dapat menjadi dasar untuk transistor fleksibel dengan gerbang elektrolit," kata Maxim Fatkullin, salah satu penulis studi tersebut, seperti dikutip oleh Universitas Politeknik Tomsk.
Saat ini, transistor dengan gerbang elektrolit digunakan sebagai sensor untuk mengukur konsentrasi berbagai ion. Transistor yang fleksibel akan memungkinkan pengembangan perangkat kompak yang dapat dilipat. (Tim Liputan)
Editor : Aan
